如何看待長晶技術(shù)新趨勢？業(yè)界權(quán)威這樣預(yù)測
光伏產(chǎn)業(yè)網(wǎng)訊
發(fā)布日期：2018-10-23
核心提示：
“預(yù)計2018年單晶市場占有率為39%，2019年為46%，2020年單多晶市場份額達到平衡。”近日，彭博新能源光伏高級分析師江亞俐在杭州召開的晶體硅生長技術(shù)論壇上做出預(yù)測。與會專家透露鑄錠單晶技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn)，未來會搶占直拉單晶市場。
“預(yù)計2018年單晶市場占有率為39%，2019年為46%，2020年單多晶市場份額達到平衡。”近日，彭博新能源光伏高級分析師江亞俐在杭州召開的晶體硅生長技術(shù)論壇上做出預(yù)測。與會專家透露鑄錠單晶技術(shù)已經(jīng)量產(chǎn)，未來會搶占直拉單晶市場。
此次論壇由亞化咨詢主辦，云集了協(xié)鑫、隆基、阿特斯、榮德等主流長晶企業(yè)技術(shù)專家，精功科技、晶盛機電、GTAT等設(shè)備制造商負(fù)責(zé)人，以及浙江大學(xué)、江蘇大學(xué)教授等權(quán)威專家。眾多“大咖”一起暢談未來長晶技術(shù)發(fā)展新趨勢。
多晶黑硅PERC是促進平價上網(wǎng)的有力武器
江亞俐預(yù)測，保守估計2018-2020年全球光伏裝機量為96.8吉瓦、123吉瓦、146.4吉瓦；樂觀預(yù)測分別為107.2吉瓦、138.3吉瓦、165.4吉瓦。單晶產(chǎn)能快速增長，并以下調(diào)價格的方式獲取市場份額，2020年單多晶市場份額達到平衡。
2018年，金剛線技術(shù)在多晶領(lǐng)域的全面推廣成為光伏產(chǎn)業(yè)的里程碑事件，“金剛線技術(shù)的應(yīng)用，助力多晶硅片成本大幅下降，占比由2017年的37%提升到2018年的99%。黑硅技術(shù)解決了多晶金剛線切制絨問題，其中濕法黑硅占比56%”，江亞俐表示。
阿特斯技術(shù)總監(jiān)王栩生表達了類似的觀點，他在《阿特斯高效多晶技術(shù)與戰(zhàn)略》報告中認(rèn)為，金剛線切片在多晶上的應(yīng)用是個巨大的寶藏，降本達29%，而黑硅是打開寶藏的鑰匙。目前濕法黑硅技術(shù)已經(jīng)完全成熟，其量產(chǎn)設(shè)備達到200臺，產(chǎn)能達到25吉瓦以上，且黑硅制絨直接替代常規(guī)酸制絨，無需增加工序。
王栩生表示，其多晶黑硅P4產(chǎn)品已經(jīng)實現(xiàn)吉瓦級量產(chǎn)，60片組件功率超過300瓦。P4量產(chǎn)電池效率達到20.4%，未來將達到21%，度電成本較單晶PERC下降1.2%；組件經(jīng)長期戶外測試平均光衰僅1%，且弱光響應(yīng)好。此外，其多晶P5超高效硅錠技術(shù)電池平均效率已達21.1%，達到技術(shù)領(lǐng)跑者滿分要求。
“黑硅PERC技術(shù)可以達到1+1＞2的效果”，榮德新能源技術(shù)負(fù)責(zé)人常傳波在《更適合于PERC工藝和金剛線切割的高品質(zhì)多晶硅錠制造技術(shù)》報告中表示，單純黑硅技術(shù)提效0.4%，PERC技術(shù)提效0.85%，但是多晶黑硅+PERC技術(shù)可以提效1.45%。而且，通過共摻低阻、控制金屬雜質(zhì)，可以有效降低多晶PERC工藝光衰。
鑄錠單晶產(chǎn)品性價比持續(xù)提升
“更低氧含量、更低衰減、無缺角，鑄錠單晶產(chǎn)品性價比優(yōu)勢非常明顯”，江蘇協(xié)鑫硅材料總經(jīng)理游達博士在《GCL鑄錠單晶技術(shù)進展》報告中表示。
游達博士認(rèn)為，多晶鑄錠硅片產(chǎn)品技術(shù)優(yōu)勢為高產(chǎn)能、低光衰、低封裝損失；Cz單晶產(chǎn)品轉(zhuǎn)換效率高、位錯密度低、可以采用堿制絨工藝，采用鑄錠方法生產(chǎn)的單晶硅片兼具二者技術(shù)優(yōu)勢。部分下游客戶使用反饋，疊加PERC技術(shù)后，鑄錠單晶與Cz單晶效率差最少僅為0.18%，而成本大幅降低。而且，數(shù)據(jù)顯示，鑄錠單晶光衰比Cz單晶產(chǎn)品低0.5%以上，長期發(fā)電量更高。
“鑄錠單晶硅片還可以更好的兼容下游終端產(chǎn)品，由于不存在缺角，其硅片面積100%可利用，比Cz單晶面積大2%。高效鑄錠單晶組件（60片）可以封裝到310瓦。在同功率輸出的條件下，鑄錠單晶組件價格比Cz單晶低0.06元/瓦，度電成本低0.006元/度。”游達博士表示。
阿特斯在鑄錠單晶方面也有較大進展，王栩生表示，阿特斯P5超高效多晶硅錠技術(shù)采用籽晶引晶，鑄錠單晶面積達到95%以上，采用濕法黑硅技術(shù)解決非全單晶硅片制絨問題，以多晶的成本達到單晶的品質(zhì)。
CCz是直拉單晶技術(shù)的發(fā)展方向
近兩年，單晶PERC的市場份額增速很快，成為主流光伏技術(shù)路線。“但是單晶PERC有更嚴(yán)重的硼-氧光致衰減問題，可以造成6%的功率損耗”，GTAT長晶總監(jiān)徐瀚博士在《CCz連續(xù)直拉單晶技術(shù)》報告中認(rèn)為，“低阻片（重?fù)脚穑岣逷ERC電池效率，但也會增加光致衰減，通過摻鎵可以解決。但是，摻鎵會導(dǎo)致超寬的電阻率，從而增加生產(chǎn)成本。CCz（連續(xù)直拉技術(shù)）可以完美解決這一難題。”
徐瀚博士表示，由于連續(xù)投料和摻雜，CCz技術(shù)可以得到非常均勻的軸向電阻率分布，氧含量更低且更均勻、少子壽命也更加一致，這使得CCz單晶硅片更適用于高效N型和鎵摻雜的P型電池。
隆基股份硅片事業(yè)部副總裁謝天在《高效電池用單晶硅材料的挑戰(zhàn)與解決之道》報告中也表示，未來高效產(chǎn)能將逐步增加，但目前高效單晶面臨的主要挑戰(zhàn)是光衰問題。謝天表示看好未來CCz技術(shù)的發(fā)展，他認(rèn)為，電阻率更加集中是CCz的優(yōu)勢，而且目前坩堝的問題已經(jīng)解決。但CCz技術(shù)同時面臨多晶硅破碎料的供給不足、鍋底料金屬含量升高（少子壽命降低）、碳含量升高等難題，如果克服這些問題，CCz技術(shù)將有非常好的發(fā)展前景。