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　　通過(guò)元Click To Play器件升級(jí)，提高功率密度一直是光伏逆變器的提效降本最主要方式：效率更高，體積更小，發(fā)熱量更低，同時(shí)耐高溫性能更好也讓產(chǎn)品更加可靠。近年來(lái)，集中式逆變器的箱體越來(lái)越小是功率器件升級(jí)的最直觀體現(xiàn)，而同樣體積的中小型逆變器，功率則提高了數(shù)倍，目前組串式光伏逆變器功率做到了275kW，與功率器件升級(jí)密不可分。

　　

　　一直以來(lái)，光伏逆變器元器件環(huán)節(jié)長(zhǎng)期被國(guó)外廠商占據(jù)大部分市場(chǎng)份額，但現(xiàn)在，國(guó)產(chǎn)功率器件將有望打破壁壘，利用第三代半導(dǎo)體的機(jī)會(huì)彎道超車(chē)，助力中國(guó)光伏逆變器企業(yè)順利推出下一代解決方案，讓光伏迎來(lái)新一輪的提效降本技術(shù)熱潮。

　　

　　第三代半導(dǎo)體技術(shù)與光伏新時(shí)代

　　

　　半導(dǎo)體材料發(fā)展至今經(jīng)歷了三次技術(shù)迭代。

　　

　　第一代半導(dǎo)體材料

　　

　　是鍺與硅，也是目前最主流的半導(dǎo)體材料，成本相對(duì)便宜，制程技術(shù)也最為成熟，應(yīng)用領(lǐng)域在信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)以及微電子產(chǎn)業(yè);

　　

　　第二代半導(dǎo)體材料

　　

　　包括砷化鎵以及磷化銦，主要應(yīng)用在射頻通訊產(chǎn)業(yè)以及光電產(chǎn)業(yè);

　　

　　第三代半導(dǎo)體

　　

　　以碳化硅以及氮化鎵為代表，可應(yīng)用在更高階的高壓高頻的功率元件領(lǐng)域。

　　

　　碳化硅(SiC)的擊穿電壓是傳統(tǒng)硅器件的十倍以上，并具有比硅更低的導(dǎo)通電阻，柵極電荷和反向恢復(fù)電荷特性，以及更高的熱導(dǎo)率。這些特性意味著SiC器件可以在比硅器件更高的電壓，頻率和電流下切換，同時(shí)更有效地管理散熱。由于功率轉(zhuǎn)換效率與開(kāi)關(guān)頻率直接相關(guān)，因此碳化硅器件既可以處理比硅器件更高的電壓，又可以確保超高開(kāi)關(guān)和導(dǎo)通頻率。

　　

　　在光伏領(lǐng)域之外，碳化硅器件對(duì)比硅器件也有非常大的優(yōu)勢(shì)。采用碳化硅器件的電動(dòng)汽車(chē)可以有效提高行駛里程，減小部件梯級(jí)降低系統(tǒng)噪聲。

　　

　　以光伏逆變器為例，對(duì)功率半導(dǎo)體器件性能指標(biāo)和可靠性要求日益提高，更高的工作電壓、更大的工作電流、更高的功率密度以及更高的工作溫度都將是未來(lái)的挑戰(zhàn)。隨著行業(yè)邁入“后1500V”以及“20A大電流”時(shí)代，要建成更大組串，進(jìn)一步降低成本，目前常見(jiàn)的有兩種辦法：

　　

　　一是降低組件工作電壓，另一種方法是提高電站的電壓等級(jí)，近年來(lái)光伏電站電壓等級(jí)從1000V提升至1500V，就必須使用第三代半導(dǎo)體材料也就是碳化硅功率器件。據(jù)了解，目前業(yè)內(nèi)也在研發(fā)1700V甚至2000V及以上電壓等級(jí)技術(shù)，因此可以說(shuō)未來(lái)的光伏功率器件領(lǐng)域一定是以碳化硅為主動(dòng)器件的市場(chǎng)驅(qū)動(dòng)。

　　

　　光伏逆變器龍頭陽(yáng)光電源在2018年累計(jì)出貨了超過(guò)15萬(wàn)臺(tái)使用碳化硅功率器件的光伏設(shè)備，其中已經(jīng)累計(jì)使用超過(guò)150萬(wàn)顆碳化硅功率器件。其明確指出，使用碳化硅功率器件后有利于降低功耗，顯著提高開(kāi)關(guān)頻率，得到更高的效率和功率密度，并有效降低系統(tǒng)成本和運(yùn)維成本。

　　

　　在器件、模塊制造環(huán)節(jié)，我國(guó)已出現(xiàn)了一批優(yōu)秀的企業(yè)，包括三安集成、泰科天潤(rùn)、中車(chē)時(shí)代、世紀(jì)金光、深圳基本、士蘭微、揚(yáng)杰科技、瞻芯電子、天津中環(huán)、江蘇華功、聚力成半導(dǎo)體等。

　　

　　但碳化硅元器件也存在著自身的瓶頸，三安集成功率半導(dǎo)體事業(yè)部中國(guó)區(qū)銷(xiāo)售總監(jiān)張真榕表示：“以碳化硅和氮化鎵為代表的第三代半導(dǎo)體器件性能優(yōu)異，但對(duì)材料、封裝和器件保護(hù)等技術(shù)要求更高，而且長(zhǎng)期以來(lái)被國(guó)外企業(yè)壟斷，成本居高不下。”三安集成母公司三安光電成立于2000年，歷經(jīng)20余年的發(fā)展，發(fā)展為集LED、微波射頻、濾波器、光技術(shù)、電力電子五大應(yīng)用領(lǐng)域?yàn)橐惑w的化合物半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群，其中第三代半導(dǎo)體業(yè)務(wù)完成了“晶圓-襯底-外延-封裝”的全產(chǎn)業(yè)鏈整合。

　　

　　碳化硅器件國(guó)產(chǎn)化的歷史機(jī)遇

　　

　　專(zhuān)家指出，第三代半導(dǎo)體是中國(guó)產(chǎn)業(yè)難得的歷史機(jī)遇。不同于中國(guó)錯(cuò)失的一代二代半導(dǎo)體技術(shù)，第三代半導(dǎo)體國(guó)內(nèi)和國(guó)際巨頭幾乎處于同一起跑線，科銳、道康寧等企業(yè)占據(jù)全球大部分市場(chǎng)份額，但中國(guó)三安集成等企業(yè)也建立了完整了第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈。同時(shí)中國(guó)擁有者龐大的應(yīng)用市場(chǎng)，光伏逆變器、新能源汽車(chē)空間巨大，中國(guó)半導(dǎo)體企業(yè)可以根據(jù)中國(guó)市場(chǎng)需求定義產(chǎn)品。

　　

　　不久前，三安集成邀請(qǐng)了國(guó)內(nèi)領(lǐng)先的百余位光伏逆變器領(lǐng)域的專(zhuān)業(yè)人士，向其分享該公司在碳化硅元器件方面的成果以及光伏逆變器國(guó)產(chǎn)化的前景。

　　

　　在三安集成的生產(chǎn)線上，筆者看到，碳化硅的生產(chǎn)工藝與光伏生產(chǎn)的很多設(shè)備功能相似，但“純度更高”(11個(gè)9以上)、“溫度更高”(2000°C高溫)、“精度更高”(極低缺陷和位錯(cuò))。

　　

　　三安集成在福建建立了4英寸和6英寸的晶圓生產(chǎn)線，在長(zhǎng)沙投資160億元建設(shè)碳化硅產(chǎn)業(yè)園，涵蓋6英寸導(dǎo)電襯底、6英寸絕緣襯底、外延、芯片和封裝工廠。三安集成張真榕表示，到2025年，三安集成將形成4萬(wàn)片每月的6寸晶圓的產(chǎn)能。

　　

　　第三代半導(dǎo)體國(guó)產(chǎn)化意義重大

　　

　　此外，在中美貿(mào)易摩擦期間，部分逆變器廠家擔(dān)心半導(dǎo)體器件供應(yīng)安全，也開(kāi)始積極同中國(guó)半導(dǎo)體廠商接洽，以期早日實(shí)現(xiàn)供應(yīng)商多樣化、器件國(guó)產(chǎn)化。同時(shí)在全球疫情影響下，傳統(tǒng)半導(dǎo)體芯片大廠的制造和供應(yīng)能力都屢受波及，產(chǎn)能下降、價(jià)格上漲，需要國(guó)產(chǎn)化器件來(lái)穩(wěn)定半導(dǎo)體芯片市場(chǎng)。

　　

　　目前，包括華為、陽(yáng)光電源、上能、錦浪、固德威、首航、古瑞瓦特、愛(ài)士惟等多家中國(guó)逆變器廠商表達(dá)了對(duì)第三代半導(dǎo)體元器件國(guó)產(chǎn)化的期待。

　　

　　三安集成張真榕就目前光伏行業(yè)熱門(mén)的210低電壓大電流組件發(fā)表了看法，他認(rèn)為隨著第三代半導(dǎo)體功率器件的應(yīng)用，“20A”將很快不再成為逆變器難以逾越的“天塹”，甚至在未來(lái)，支撐50A電流的器件也有望應(yīng)用在逆變器領(lǐng)域。